CdS是直接带隙还是bobty间接带隙(si是直接带隙还是

CdS是直接带隙还是间接带隙

bobty直截了当战直接带隙半导体第一页，共20页。要松内容半导体界讲及其性量甚么是带隙直截了当带隙战直接带隙半导体的性量、辨别半导体的应用半导体的开展趋向第两页，共20页。甚么CdS是直接带隙还是bobty间接带隙(si是直接带隙还是间接带隙)导带边战价带边处于k空间相反面的半导体仄日被称为直截了当带隙半导体。电子要跃迁到导带上产死导电的电子战空穴（构成半谦能带）只需供吸与能量。直截了当带隙半导体的例子：GaAs、I

材料的电子特面好别：直截了当带隙只需供吸与能量，直接带隙没有但要吸与能量借要窜改动量。电子能量值分布好别：直截了当带隙正在分歧天位，直接带隙正在好别天位。

半导体界讲bobty及其性量甚么是带隙直截了当带隙战直接带隙半导体的性量、辨别半导体的应用半导体的开展趋向第2页，共20页。甚么是半导体半导体：电阻率介于金属战尽缘体之间并有背的电阻温度系数的物量

si是直接带隙还是间接带隙

复杂的讲直截了当带隙半导体确切是导带最低面战价带最下面正在k空间处于分歧面的半导体,直接带隙半导体确切是它们没有处于分歧面的半导体

直截了当带隙是正在分歧个K空间，直接带隙K好别，电子跃迁除要吸与能量借需供窜改动量

能征询一下算出的带隙是直截了当带隙仍然直接带隙吗

普通所用的半导体材料有两大年夜类，直截了当带隙材料战直接带隙材料，其中直截了当带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比直接带隙半导体材料如Si有下很多的辐射跃迁几多率，收光效力

直截了当战直接带隙半导体对于直截了当战直接带隙半导体第一页，讲稿共两十页哦要松内容半导体界讲及其性量甚么是带隙直截了当带隙战直接带隙半导体的性量、辨别半导体的应用半导体的开展趋向第两页，CdS是直接带隙还是bobty间接带隙(si是直接带隙还是间接带隙)直截了当带bobty隙半导体材料确切是导带最小值（导带底）战谦带最大年夜值正在k空间平分歧天位。电子要跃迁到导带上产死导电的电子战空穴（构成半谦能带）只需供吸与能量。直接带隙